EtroX® V natur
PEEK
natur
PlatteRundstab
Besondere Eigenschaften
- Gute Zerspanbarkeit
- Geringe Entgratung
- Geringe Feuchtigkeitsaufnahme
- Gute Formbeständigkeit
Industrien
Semiconductor Front-End-Anwendungen- Semiconductor Back-End-Anwendungen
- Semiconductor Hohe und tiefe Temperatur
Lieferprogramm
Technische Daten EtroX® V natural
| Testmethode | Einheit | Richtwert | |
|---|---|---|---|
| Dichte | DIN EN ISO 1183-1 | g / cm3 | 1,62 |
| Feuchtigkeitsaufnahme | DIN EN ISO 62 | % | 0,15 |
| Testmethode | Einheit | Richtwert | |
|---|---|---|---|
| Streckspannung | DIN EN ISO 527 | MPa | 105 |
| Reißdehnung | DIN EN ISO 527 | % | 2,5 |
| E-Modul | DIN EN ISO 527 | MPa | 5300 |
| Kerbschlagzähigkeit | ISO 179-1/1eA | kJ / m2 | 1,0 |
| Shore Härte | DIN EN ISO 868 | scale D | 88 |
| Kugeldruckhärte | DIN EN ISO 2039-1 | MPa | 275 |
| Testmethode | Einheit | Richtwert | |
|---|---|---|---|
| Schmelztemperatur | ISO 11357-3 | °C | 341 |
| Wärmeleitfähigkeit | ISO 22007-4 | W / (m * K) | 0,44 |
| Einsatztemperatur langfristig | Average | °C | -30 … 250 |
| Einsatztemperatur kurzzeitig (max.) | Average | °C | 310 |
| Testmethode | Einheit | Richtwert | |
|---|---|---|---|
| Durchgangswiderstand | DIN EN 62631-3-1 | Ω * cm | >1012 |
| Oberflächenwiderstand | DIN EN 62631-3-2 | Ω | >1012 |
| Vergleichszahl der Kriechwegbildung | IEC 60112 | 150 | |
| Durchschlagfestigkeit | IEC 60243 | kV / mm | 35 |
| Dielectric constant @ 50Hz | DIN EN IEC 62631-2-1 | 4,9 | |
| Dielektrizitätszahl @ 1MHz | DIN EN IEC 62631-2-1 | 4,9 | |
| Dielektrischer Verlustfaktor (50 Hz) | DIN EN IEC 62631-2-1 | 0,04 | |
| Dielektrischer Verlustfaktor (1 MHz) | DIN EN IEC 62631-2-1 | 0,0007 |
